海棠书屋 > 都市小说 > 重生九六大负翁 > 正文 第051章 改变闪存格局
前我还要管理公司,就有点兼顾不过来了。现在好了,担子轻了很多,你们又都很有想法,我能看到闪存在半导体在IT领域占据一片空间,我就很欣慰了。”
    “不,博士,我们华夏有句话叫做:家有一老,如有一宝。您的思路非常灵活啊。主控芯片这方面倒是好说,不算复杂,但是内存的容量还要提升啊。”
    “是的,现在我们可做不出1G容量的闪存。”
    “博士,你知道多层单元架构吗?就是Multi Level Cell,即MLC架构,相对于Single Level Cell,即SLC架构而言,MLC架构能把容量提升一倍。”
    “听倒是听说过,这种架构读写速度慢,可写次数少,寿命比较短啊。”
    “可是这种架构的NAND闪存成本低容量大啊,MLC将2个或2个bit以上的信息写入一个浮动栅,然后利用不同电位的电荷,通过内存储存格的电压来控制精准读写。
    我听说英特尔正在研究这项技术,估计明年就应该能发布了,我希望您这边能把这项技术研发出来,这是未来发展的趋势啊,读写速度很多情况下是可以忽略的,写入次数少寿命短的问题也不是不能解决,现在的IT产品的周期是很短的,


本章未完,请点击下一页继续阅读 >>