沈靖又转过头去和吴博士小声交流着。
陈舟却把注意力转移到了实验装置上。
刚才，吴博士的话提醒了他。
在金刚石掺杂实验中，载流子浓度，会影响霍尔迁移率。
而霍尔迁移率便直接反应着金刚石中硼元素的掺杂程度。
此外，硼元素的掺杂，是通过向MPCVD法制备金刚石薄膜的反应室中加入硼源来实现金刚石的硼掺杂的。
硼源的话，一般会采用含硼的气体，像B2H6和B（CH3）3。
当硼的掺杂浓度较高时，制备的金刚石掺杂是包含了许多点缺陷、线缺陷和面缺陷的。
这些缺陷会捕获载流子，影响金刚石材料的霍尔迁移率，进而影响制备的硼掺杂金刚石。
“果然，无论是金刚石薄膜本身的制备，还是掺杂实验下的单晶金刚石的制备，都是矛盾的实验……”陈舟心里想到。
想了想，陈舟跟吴博士说了一声，便去n型掺杂实验那边了。
正如吴博士所说，n型掺杂比p型掺杂要难得多。
对于p型掺杂，还能参考这自然界的样本。
但是n型掺杂，只能不断摸索。
说起来，n型掺杂的磷元素