攻克这个难点, 就能使tfet（隧穿场效应晶体管）工作在较低电压下，且工艺能与传统的cmos工艺兼容，大大的减少制作成本。
现在她正在试验的这个被指出“可以改进”的部分, 正是之前李教授提醒江静注意的那一点, 她按照李教授备注的建议重新做了新的模型、新的论证，然而无论她如何尝试, 试验的最终结果也无法达到她想要的效果。
“到底是哪里出了问题？”
和她一起进行试验和论证的三四个实习研究员累得不行，情绪也有点暴躁起来。“我们所有的论证都好好的，每次到了这一步就出错！”
“你们先回去休息吧。”
江静这三天就睡了五个多小时，剧烈的头痛和持续的高强度试验让她没有办法好好的思考，为了能保持继续进行下去的体力, 她选择了暂停。
“我把实验室收拾一下就走。”
“那我们先回去了。”
几个实习研究员如释重负，互相支撑着摇摇晃晃地离开了实验室，准备一回去就睡它个昏天黑地。
强撑着精神收拾实验记录的江静百思不得其解，不明白自己明明是按照教授的“正确指导”在进行着的过程, 为什么就是反复错误。