收一定的抛光液，而抛光液是由磨料ph值调节剂、氧化剂、分散剂、表面活性剂混合而成。
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光刻胶：
这是由溶剂、树脂、光引发剂和单体与其它助剂构成，光刻胶在应用上可以理解成是在一些物体上喷漆使用的胶带一样的性质，只不过光刻胶是微米级乃至纳米级的工艺。
光刻胶在制程工艺内部大规模集成电路制造的一个过程中，光刻和刻蚀技术是最重要的工艺，而且因为尺度小，在制作过程中有重复十多次的光刻、刻蚀、烘焙、涂胶等一系列工艺过程，通过这一系列的过程把电路印至到硅片上，就让光刻胶的应用变得非常重要了。
随着半导体制程不断提升，从微米级到纳米级的演进，光刻胶的波长也从紫外宽谱延伸到了g线(436nm)、i线(365nm)、krf(248nm)、arf(193nm)和euv(13.5nm)的制程。
相应的光刻胶成分也要发生变化，因为像曝光波长越短对光刻胶的技术水平要求就越高，其所适应的集成电路的制程就会越先进，不同光刻波长所应用的光刻胶成分也是不同的。
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溅射靶材：
在溅射的过程当中，高速的离子束轰