%，最终良率95.1%，单步良率99.999%，最终良率99.5%。
由此可见，只有单步良率达到了5个n的时候，最终良率才能达到99.5%的水平，这也是半导体设备的难点所在。
在半导体设备的制造环节，可以分为前道晶圆设备制造、封装设备以及测试设备。
其中最关键还是前道工艺设备。
这也是资本开支占比最高的，在去掉产房以及验收等，前道工艺设备的投资占了总比的百分之七八十左右，如果制程精度越高，这个比例还会更高，比如当达到16纳米以内的时候会达到85%的比例，7纳米以下会更高。
前道设备的工艺流程具体又分为：氧化扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、抛光、晶圆检测等环节。
在当前全球半导体设备的竞争格局中，各大环节的头部企业都被外国寡头企业垄断，国内企业基本够不着第一梯队的影子，这是很现实的问题。
半导体设备存在三大壁垒。
第一是技术层面的壁垒，首先一个就是半导体设备是由成千上万个零部件组成的复杂系统，而将这些零部件有机的组合成一体，并且实现想要的精度在纳米级上的操作。
第二个壁垒就是