“正是”白川枫点点头，肯定了他的猜测，“不过考虑到目前闪存还处在理论阶段，SIC在芯片架构授权方面只能做出一定的优惠承诺。”
佐波正一听了白川枫开出条件的第一反应，不是考虑条件是否适合。
而是转头询问武石喜幸，自家的闪存到底是怎么回事。
后者悄悄凑过脑袋，开始低声回答关于闪存的事情。
正如白川枫所说目前这种技术还处于理论阶段，是由研究所内一位名为舛冈富士雄的员工提出并验证。
NOR闪存与DRAM存储器不同，闪存是一种切断电源后存储数据也不会消失的半导体非易失性存储器。
这和英特尔的EEPRTOM（带点可擦可编程制度存储器）有些类似，不过后者存在某些明显的缺点。
比如读写性能差、难以提高集成度等，也因为这些缺点EEPRTOM难以成为大容量存储器。
不过舛冈富士雄提出了另外一条思路，那就是“故意降低性能”。
在原来的存储器中，擦写数据是以字节为单位来进行的。
那么闪存则把字节打包成一个个“小集体”来看待，即以块为单位来进行擦写。
通俗点说就是闪存牺牲精细化操作