就由日本人Takanashi在一项美国专利中提出了，他定义了浸入式光刻机最基本的结构特征，即在最后一级物镜与光刻胶之间充入一层透明的液体。
发明专利的时效只有20年，只可惜这项专利诞生的“过早”，前世真正意义上的浸入式光刻要在若干年后才会出现，Takanashi也因此与巨额专利费擦肩而过。
但这一世呢，仓耀祖已经让葛栗琴的律师事务所买断了这个专利，虽然专利时效只有不到8年了，但8年时间也足够了。
现在的浸入式光刻之所以不被重视，是因为人们找不到好的浸入液，比如浸入液是环辛烷的话。浸入液的充入、镜头的沾污、光刻胶的稳定性和气泡的伤害等关键问题很难解决，因此，人们对浸入式光刻并没有什么深入的研究。
现在的主流技术是干式光刻，无论是尼康、佳能还是阿斯麦都是如此。如果能找到好的浸入液，那么，在高端光刻领域，浸没式光刻就是干法光刻的完美替代技术，而新旧技术的替代带来的就是光刻机的完全垄断。
林本坚在2002年后提出了以折射率为1.44的去离子水为浸入液的方案，比较完美地解决了浸入式光刻的其它问题，此举彻底改变了光刻行业以及整个半导体行业