改进的。
【热丝CVD法（HFCVD）制备金刚石膜】
这篇文献对于HFCVD法制备金刚石膜的介绍比较全面。
虽然这种方法是CVD法的鼻祖，但是现在使用的仍然非常普遍，而且发展成沉积金刚石薄膜较为成熟的方法之一。
这种方法需要在衬底上方设置金属热丝，常用的像钨丝、钽丝。
再将含碳气体高温加热到2000~2200℃，进行分解，形成活性粒子。
在氢原子作用下，就会在衬底上沉积而形成金刚石。
这种方法，虽然简单，但是沉积效率很低，比四十三所现在用的方法要低很多。
不仅如此，而且工艺稳定性差，容易造成污染。
虽然文献中还提了两种改良的方法，但是陈舟同样不认同。
因为效率是提高了，但是金刚石薄膜的质量，还是太低。
对于金刚石半导体材料和器件的研究，显然不适用。
但是，改良方法，陈舟觉得可以一试。
一种是反应气体分送的HFCVD法，也就是把碳源气体和氢气由热丝的下方和上方分别送入。
另一种是电子助进的HFCVD法，通过给衬底加大约15